B110N04
MOSFET
N-Channel
TO251
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
160.000 A
RDSon
0.0045 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| tr - Rise Time | 88 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 590 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 160 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0045 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B110N04:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B110N04?
Los reemplazos compatibles para el B110N04 incluyen: 23N50D, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 60N06, 5N65C, 60N10B, 60N10D, 60N10E, 60N10F, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el B110N04?
El B110N04 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del B110N04?
El B110N04 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 160.000 A.