B1129NT1V-1
BJT
NPN
Parametros Principales
Vce Max.
10.000 V
Vcb Max.
12.000 V
Ic Max.
0.010 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
0.075 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.01 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 12 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 10 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.075 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B1129NT1V-1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B1129NT1V-1?
Los reemplazos compatibles para el B1129NT1V-1 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 159NT1E, 1129NTV1, 2SC4977, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el B1129NT1V-1?
El B1129NT1V-1 es un transistor BJT NPN .
¿Cual es el voltaje maximo del B1129NT1V-1?
El B1129NT1V-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.010 A.