B511
BJT
PNP
TO220
Parametros Principales
Vce Max.
35.000 V
Vcb Max.
35.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 3 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 35 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 35 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B511:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B511?
Los reemplazos compatibles para el B511 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 8550C, 8550SS, 8550SS-C, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el B511?
El B511 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del B511?
El B511 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.