B562

BJT PNP TO92

Parametros Principales

Vce Max. 20.000 V
Vcb Max. 25.000 V
Ic Max. 1.000 A
hFE Min 85.000
Potencia Max. 0.900 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 350 MHz
Collector Capacitance (Cc) 38 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 20 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.9 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 85

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B562:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el B562?

Los reemplazos compatibles para el B562 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 8550C, 8550SS, 8550SS-C, y 11 mas.

¿Que tipo de transistor es el B562?

El B562 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del B562?

El B562 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.

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