B647
BJT
PNP
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
0.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.8 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B647:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B647?
Los reemplazos compatibles para el B647 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 13007DL, 13007S, 13007T, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el B647?
El B647 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del B647?
El B647 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.