B722
BJT
PNP
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 80 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B722:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B722?
Los reemplazos compatibles para el B722 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 9012S, B511, B562, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el B722?
El B722 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del B722?
El B722 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.