B772

BJT PNP TO126 SOT89

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 3.000 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 0.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO126 SOT89
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 3 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.5 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B772:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el B772?

Los reemplazos compatibles para el B772 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD882, y 8 mas.

¿Que tipo de transistor es el B772?

El B772 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO126 SOT89.

¿Cual es el voltaje maximo del B772?

El B772 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.

Scroll al inicio