B772-GR
BJT
PNP
TO252
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B772-GR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B772-GR?
Los reemplazos compatibles para el B772-GR incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, B511, B562, B564A, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el B772-GR?
El B772-GR es un transistor BJT PNP en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del B772-GR?
El B772-GR tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.