B772E
BJT
PNP
SOT89
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT89 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 80 typ MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 55 typ pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B772E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B772E?
Los reemplazos compatibles para el B772E incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el B772E?
El B772E es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT89.
¿Cual es el voltaje maximo del B772E?
El B772E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.