B772P
BJT
PNP
TO126D
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
120.000
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126D |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 120 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B772P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el B772P?
Los reemplazos compatibles para el B772P incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 13007S, 13007T, 13009A, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el B772P?
El B772P es un transistor BJT PNP en encapsulado TO126D.
¿Cual es el voltaje maximo del B772P?
El B772P tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.