B772Q

BJT PNP SOT89

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 3.000 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT89
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 80 typ MHz
Collector Capacitance (Cc) 55 typ pF
Maximum Collector Current |Ic max| 3 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del B772Q:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el B772Q?

Los reemplazos compatibles para el B772Q incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R, y 5 mas.

¿Que tipo de transistor es el B772Q?

El B772Q es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT89.

¿Cual es el voltaje maximo del B772Q?

El B772Q tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.

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