BC636-10
BJT
PNP
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
45.000 V
Vcb Max.
45.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
63.000
Potencia Max.
0.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 130 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 45 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 45 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.8 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 63 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BC636-10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BC636-10?
Los reemplazos compatibles para el BC636-10 incluyen: 2SB649, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el BC636-10?
El BC636-10 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del BC636-10?
El BC636-10 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.