BC650D

BJT NPN TO92

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 30.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 640.000
Potencia Max. 0.625 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 3 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.625 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 640

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BC650D:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el BC650D?

Los reemplazos compatibles para el BC650D incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, BC547, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el BC650D?

El BC650D es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.

¿Cual es el voltaje maximo del BC650D?

El BC650D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

Scroll al inicio