BC651DS
BJT
NPN
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
45.000 V
Vcb Max.
45.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
680.000
Potencia Max.
0.625 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 45 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 45 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.625 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 680 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BC651DS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BC651DS?
Los reemplazos compatibles para el BC651DS incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, BC650D, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el BC651DS?
El BC651DS es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del BC651DS?
El BC651DS tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.