BC847DW-A

BJT NPN SOT363

Parametros Principales

Vce Max. 45.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 110.000
Potencia Max. 0.200 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT363
Polarity NPN
SMD Transistor Code 1Et
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 1.5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 45 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 110

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BC847DW-A:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el BC847DW-A?

Los reemplazos compatibles para el BC847DW-A incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SB772U-Q, 2SB772U-P, 2SB772U-E, y 11 mas.

¿Que tipo de transistor es el BC847DW-A?

El BC847DW-A es un transistor BJT NPN en encapsulado SOT363.

¿Cual es el voltaje maximo del BC847DW-A?

El BC847DW-A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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