BC856DW

BJT PNP SOT363

Parametros Principales

Vce Max. 65.000 V
Vcb Max. 80.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 110.000
Potencia Max. 0.200 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT363
Polarity PNP
SMD Transistor Code 5Ft
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 2.5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 65 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 110

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BC856DW:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el BC856DW?

Los reemplazos compatibles para el BC856DW incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD998, y 9 mas.

¿Que tipo de transistor es el BC856DW?

El BC856DW es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT363.

¿Cual es el voltaje maximo del BC856DW?

El BC856DW tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 65.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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