BC857DW

BJT PNP SOT363

Parametros Principales

Vce Max. 45.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.200 A
hFE Min 125.000
Potencia Max. 0.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT363
Polarity PNP
SMD Transistor Code 3C
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 200 MHz
Collector Capacitance (Cc) 3.5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 45 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.3 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 125

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BC857DW:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el BC857DW?

Los reemplazos compatibles para el BC857DW incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD882U-Q, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el BC857DW?

El BC857DW es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT363.

¿Cual es el voltaje maximo del BC857DW?

El BC857DW tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.

Scroll al inicio