BCS4N10
MOSFET
N-Channel
TO-257F
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
0.5500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
14.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-257F |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 14 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.55 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BCS4N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BCS4N10?
Los reemplazos compatibles para el BCS4N10 incluyen: 20N50B, 20N60A, 24N50A, 24N50B, 24N50C, 2MI50S-050, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 30N20A, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BCS4N10?
El BCS4N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-257F.
¿Cual es el voltaje maximo del BCS4N10?
El BCS4N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.