BF1109WR
MOSFET
N-Channel
SOT343R
Parametros Principales
Vds Max.
11.000 V
Id Max.
0.030 A
RDSon
200.0000 Ω
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT343R |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2.2 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.03 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 11 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 200 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BF1109WR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BF1109WR?
Los reemplazos compatibles para el BF1109WR incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BF1101R, BF1101WR, BF1102, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BF1109WR?
El BF1109WR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT343R.
¿Cual es el voltaje maximo del BF1109WR?
El BF1109WR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 11.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.030 A.