BF1118W
MOSFET
N-Channel
SOT343N
Parametros Principales
Vds Max.
3.000 V
Id Max.
0.010 A
RDSon
23.3000 Ω
Vgs Max.
7.000 V
Potencia Max.
0.100 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT343N |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.01 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.1 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 7 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 3 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 23.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BF1118W:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BF1118W?
Los reemplazos compatibles para el BF1118W incluyen: 20N60, 2N7002PV, 2N7002PW, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BF1118W?
El BF1118W es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT343N.
¿Cual es el voltaje maximo del BF1118W?
El BF1118W tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 3.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.010 A.