BFC10
MOSFET
N-Channel
SOT227
Parametros Principales
Vds Max.
1000.000 V
Id Max.
20.500 A
RDSon
0.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
520.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT227 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 5425 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 520 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BFC10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BFC10?
Los reemplazos compatibles para el BFC10 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BF995, BF996, BF996S, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BFC10?
El BFC10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT227.
¿Cual es el voltaje maximo del BFC10?
El BFC10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1000.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.500 A.