MOSFET BL3N100E-D N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-252 — Vds=1,000V, Id=2.5A, RDSon=7.5Ω, 69W
Parametros principales
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 63 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 13.8 nC |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 45 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 69 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1000 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 5 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7.5 Ohm |
Transistores equivalentes y compatibles
Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del BL3N100E-D:
¿Que es el BL3N100E-D?
El BL3N100E-D es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-252. Soporta hasta 1,000V entre drain y source con una corriente maxima de 2.5A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 7.5 Ohm.
Los MOSFET como el BL3N100E-D se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.
BIOS, schematics, boardviews, cursos y foro. Todo sin costo, sin trucos.
¿Necesitas que lo reparemos nosotros?
Si preferis que un profesional se encargue, hacemos reparacion a nivel de componentes: micro-soldadura, reballing, cambio de chips, recuperacion de equipos que no encienden.
Preguntas frecuentes sobre el BL3N100E-D
¿Con que transistor puedo reemplazar el BL3N100E-D?
Los reemplazos compatibles para el BL3N100E-D incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BL30N60-W, BL30N65-F, BL30N65-W, y 19 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.
¿Que tipo de transistor es el BL3N100E-D?
El BL3N100E-D es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252. Sus parametros principales son: Vds=1,000V, Id=2.5A, RDSon=7.5Ω, 69W.
¿Cual es el voltaje maximo del BL3N100E-D?
El BL3N100E-D soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1,000V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el BL3N100E-D?
El BL3N100E-D viene en encapsulado TO-252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el BL3N100E-D?
El BL3N100E-D se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del BL3N100E-D?
Si, toda la informacion tecnica en Academia InfoSquad es 100% gratuita. Parametros, equivalentes y datasheets sin costo ni registro obligatorio. Si te registras (tambien gratis), accedes a mas de 33.000 archivos de BIOS, schematics y boardviews.
