BLD6G22LS-50
MOSFET
N-Channel
SOT1130B
Parametros Principales
Vds Max.
28.000 V
Id Max.
10.200 A
RDSon
0.7360 Ω
Potencia Max.
55.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT1130B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 55 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 28 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.736 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLD6G22LS-50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLD6G22LS-50?
Los reemplazos compatibles para el BLD6G22LS-50 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BLA1011S-200, BLA1011S-200R, BLA6G1011-200R, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLD6G22LS-50?
El BLD6G22LS-50 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT1130B.
¿Cual es el voltaje maximo del BLD6G22LS-50?
El BLD6G22LS-50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 28.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.200 A.