BLF6G10LS-160RN
MOSFET
N-Channel
SOT502B
Parametros Principales
Vds Max.
32.000 V
Id Max.
39.000 A
RDSon
0.0700 Ω
Potencia Max.
160.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT502B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 39 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 160 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 32 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.07 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLF6G10LS-160RN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLF6G10LS-160RN?
Los reemplazos compatibles para el BLF6G10LS-160RN incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 75N75, BLF647, BLF6G10-135RN, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLF6G10LS-160RN?
El BLF6G10LS-160RN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT502B.
¿Cual es el voltaje maximo del BLF6G10LS-160RN?
El BLF6G10LS-160RN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 32.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 39.000 A.