BLF6G20LS-110
MOSFET
N-Channel
SOT502B
Parametros Principales
Vds Max.
28.000 V
Id Max.
29.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Potencia Max.
110.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT502B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 29 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 110 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 28 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLF6G20LS-110:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLF6G20LS-110?
Los reemplazos compatibles para el BLF6G20LS-110 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BLF6G15LS-500H, BLF6G20-110, BLF6G20-180PN, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLF6G20LS-110?
El BLF6G20LS-110 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT502B.
¿Cual es el voltaje maximo del BLF6G20LS-110?
El BLF6G20LS-110 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 28.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 29.000 A.