BLF6G27-10
MOSFET
N-Channel
SOT975B
Parametros Principales
Vds Max.
28.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
1.2560 Ω
Potencia Max.
10.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT975B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 10 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 28 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.256 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLF6G27-10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLF6G27-10?
Los reemplazos compatibles para el BLF6G27-10 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BLF6G22L-40P, BLF6G22LS-100, BLF6G22LS-130, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLF6G27-10?
El BLF6G27-10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT975B.
¿Cual es el voltaje maximo del BLF6G27-10?
El BLF6G27-10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 28.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.