BLF6G27LS-50BN
MOSFET
N-Channel
SOT1112B
Parametros Principales
Vds Max.
28.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.2500 Ω
Potencia Max.
50.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT1112B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 28 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.25 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLF6G27LS-50BN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLF6G27LS-50BN?
Los reemplazos compatibles para el BLF6G27LS-50BN incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BLF6G27-135, BLF6G27-45, BLF6G27-75, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLF6G27LS-50BN?
El BLF6G27LS-50BN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT1112B.
¿Cual es el voltaje maximo del BLF6G27LS-50BN?
El BLF6G27LS-50BN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 28.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.