BLF8G10LS-160
MOSFET
N-Channel
SOT502B
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
37.000 A
RDSon
0.0860 Ω
Potencia Max.
160.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT502B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 37 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 160 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.086 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLF8G10LS-160:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLF8G10LS-160?
Los reemplazos compatibles para el BLF8G10LS-160 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, BLF884P, BLF884PS, BLF888, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLF8G10LS-160?
El BLF8G10LS-160 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT502B.
¿Cual es el voltaje maximo del BLF8G10LS-160?
El BLF8G10LS-160 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 37.000 A.