BLS6G2731-6G
MOSFET
N-Channel
SOT975C
Parametros Principales
Vds Max.
32.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
1.2600 Ω
Potencia Max.
6.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT975C |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 6 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 32 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.26 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLS6G2731-6G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLS6G2731-6G?
Los reemplazos compatibles para el BLS6G2731-6G incluyen: 2SJ238, 2SJ559, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, BLM6G10-30G, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLS6G2731-6G?
El BLS6G2731-6G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT975C.
¿Cual es el voltaje maximo del BLS6G2731-6G?
El BLS6G2731-6G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 32.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.