BLS6G2735LS-30
MOSFET
N-Channel
SOT1135B
Parametros Principales
Vds Max.
32.000 V
Id Max.
8.200 A
RDSon
0.5800 Ω
Potencia Max.
30.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT1135B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 32 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.58 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLS6G2735LS-30:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLS6G2735LS-30?
Los reemplazos compatibles para el BLS6G2735LS-30 incluyen: 2SJ238, 2SJ559, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON7408, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLS6G2735LS-30?
El BLS6G2735LS-30 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT1135B.
¿Cual es el voltaje maximo del BLS6G2735LS-30?
El BLS6G2735LS-30 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 32.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.200 A.