BLS6G3135S-120
MOSFET
N-Channel
SOT502B
Parametros Principales
Vds Max.
32.000 V
Id Max.
33.000 A
RDSon
0.1600 Ω
Potencia Max.
120.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT502B |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 33 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 32 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.16 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BLS6G3135S-120:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BLS6G3135S-120?
Los reemplazos compatibles para el BLS6G3135S-120 incluyen: BS170, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK705, BLS6G2731S-120, BLS6G2731S-130, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BLS6G3135S-120?
El BLS6G3135S-120 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT502B.
¿Cual es el voltaje maximo del BLS6G3135S-120?
El BLS6G3135S-120 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 32.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 33.000 A.