BM3416E
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
6.500 A
RDSon
0.0200 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
1.560 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 345 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 108 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.56 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BM3416E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BM3416E?
Los reemplazos compatibles para el BM3416E incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AS2304, ASDM20N12ZB, BM2300, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el BM3416E?
El BM3416E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del BM3416E?
El BM3416E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.500 A.