BR1N60
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
12.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
34.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 20 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 34 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BR1N60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BR1N60?
Los reemplazos compatibles para el BR1N60 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK4200LS, 2SK3354, 2SK3354S, 2SK3354Z, 2SK2675, 2SK596, BR100N03, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BR1N60?
El BR1N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del BR1N60?
El BR1N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.