BR4N60
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BR4N60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BR4N60?
Los reemplazos compatibles para el BR4N60 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON7408, 2SK2675, 2SK596, BR100N03, BR12N60, BR1N60, BR2N60, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BR4N60?
El BR4N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del BR4N60?
El BR4N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.