BR50N10
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
50.000 A
RDSon
0.0280 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 63 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 265 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.028 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BR50N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BR50N10?
Los reemplazos compatibles para el BR50N10 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, BR100N03, BR12N60, BR1N60, BR2N60, BR4145, BR4953, BR4N60, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BR50N10?
El BR50N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del BR50N10?
El BR50N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 50.000 A.