BR80N75
MOSFET
N-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
75.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0120 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
300.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 730 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 75 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.012 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BR80N75:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BR80N75?
Los reemplazos compatibles para el BR80N75 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON6788, BR70N06, BR75N08, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el BR80N75?
El BR80N75 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del BR80N75?
El BR80N75 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 75.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.