BRB80N10
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
80.000 A
RDSon
0.0150 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
131.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| tr - Rise Time | 10 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 80 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 131 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.015 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRB80N10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRB80N10?
Los reemplazos compatibles para el BRB80N10 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BRB50N06, BRB7N60, BRB7N65, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRB80N10?
El BRB80N10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del BRB80N10?
El BRB80N10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 80.000 A.