BRCS020N06SBD
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
166.000 A
RDSon
0.0035 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 3500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 166 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0035 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS020N06SBD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS020N06SBD?
Los reemplazos compatibles para el BRCS020N06SBD incluyen: 2SK2842, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BRCS016N03DP, BRCS016N03SZC, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRCS020N06SBD?
El BRCS020N06SBD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS020N06SBD?
El BRCS020N06SBD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 166.000 A.