BRCS035N08SHBD
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
195.000 A
RDSon
0.0035 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
227.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 19 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2440 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 195 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 227 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0035 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS035N08SHBD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS035N08SHBD?
Los reemplazos compatibles para el BRCS035N08SHBD incluyen: 2N7002, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BRCS030N06SZC, BRCS030N10SHBD, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRCS035N08SHBD?
El BRCS035N08SHBD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS035N08SHBD?
El BRCS035N08SHBD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 195.000 A.