BRCS040N02DP
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
95.000 A
RDSon
0.0060 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
55.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 370 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 95 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 55 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.006 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS040N02DP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS040N02DP?
Los reemplazos compatibles para el BRCS040N02DP incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 8205A, BRCS035N04SDP, BRCS035N06SDP, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRCS040N02DP?
El BRCS040N02DP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS040N02DP?
El BRCS040N02DP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 95.000 A.