BRCS045N10SHBD
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
150.000 A
RDSon
0.0065 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
180.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 955 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 150 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 180 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0065 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS045N10SHBD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS045N10SHBD?
Los reemplazos compatibles para el BRCS045N10SHBD incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BRCS035N08SHRA, BRCS035N08SHZC, BRCS035N10SHBD, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRCS045N10SHBD?
El BRCS045N10SHBD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS045N10SHBD?
El BRCS045N10SHBD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 150.000 A.