BRCS050N04BD
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
196.000 A
RDSon
0.0100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
347.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 210 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 196 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 347 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.01 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS050N04BD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS050N04BD?
Los reemplazos compatibles para el BRCS050N04BD incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BRCS045N08SHBD, BRCS045N08SHRA, BRCS045N10SHBD, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRCS050N04BD?
El BRCS050N04BD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS050N04BD?
El BRCS050N04BD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 196.000 A.