BRCS055N08SHBD
MOSFET
N-Channel
TO-263
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
132.000 A
RDSon
0.0090 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
173.600 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-263 |
| tr - Rise Time | 32 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1640 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 132 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 173.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.009 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS055N08SHBD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS055N08SHBD?
Los reemplazos compatibles para el BRCS055N08SHBD incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BRCS050N03DP, BRCS050N03DSC, BRCS050N03YB, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRCS055N08SHBD?
El BRCS055N08SHBD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-263.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS055N08SHBD?
El BRCS055N08SHBD tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 132.000 A.