BRCS10N15DP
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
150.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
54.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 250 max nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 74 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 54 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 150 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS10N15DP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS10N15DP?
Los reemplazos compatibles para el BRCS10N15DP incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 8N65, BR13N50, BR20N40, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRCS10N15DP?
El BRCS10N15DP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS10N15DP?
El BRCS10N15DP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 150.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.