BRCS20P06DP
MOSFET
P-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.0920 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 3.4 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 330 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.092 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS20P06DP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS20P06DP?
Los reemplazos compatibles para el BRCS20P06DP incluyen: BR50P06, BRCS20P04DP, BRCS2301AMA, BRCS2301MA, BRCS2305MC, BRCS300P02ZJ, BRCS30P10DP.
¿Que tipo de transistor es el BRCS20P06DP?
El BRCS20P06DP es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS20P06DP?
El BRCS20P06DP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.