BRCS30P10DP
MOSFET
P-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
53.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 198 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 53.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS30P10DP:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS30P10DP?
Los reemplazos compatibles para el BRCS30P10DP incluyen: BRCS20P06DP, BRCS2301AMA, BRCS2301MA, BRCS2305MC, BRCS300P02ZJ, BRCS3401MC, BRCS3407MC, BRCS3415MC.
¿Que tipo de transistor es el BRCS30P10DP?
El BRCS30P10DP es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS30P10DP?
El BRCS30P10DP tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.