BRCS4953DMF
MOSFET
P-Channel
SOT23-6
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
0.0970 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23-6 |
| tr - Rise Time | 36 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 223 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.097 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRCS4953DMF:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRCS4953DMF?
Los reemplazos compatibles para el BRCS4953DMF incluyen: BRCS3407MC, BRCS3415MC, BRCS5P06MA, BRCS90P03RA, BRCS9435SC.
¿Que tipo de transistor es el BRCS4953DMF?
El BRCS4953DMF es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23-6.
¿Cual es el voltaje maximo del BRCS4953DMF?
El BRCS4953DMF tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.