BRD1N60
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
12.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 20 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRD1N60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRD1N60?
Los reemplazos compatibles para el BRD1N60 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 4N60, BRB7N80, BRB80N06, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRD1N60?
El BRD1N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del BRD1N60?
El BRD1N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.