BRD30P06
MOSFET
P-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0400 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.04 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRD30P06:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRD30P06?
Los reemplazos compatibles para el BRD30P06 incluyen: BRCS90P03RA, BRCS9435SC.
¿Que tipo de transistor es el BRD30P06?
El BRD30P06 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del BRD30P06?
El BRD30P06 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.