BRD4N70
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
700.000 V
Id Max.
4.000 A
RDSon
2.8000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
70.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRD4N70:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRD4N70?
Los reemplazos compatibles para el BRD4N70 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, BRCS70N08IP, BRCS80N03DP, BRCS90P03RA, BRCS9435SC, BRCS9926SC, BRD100N03, BRD15N10, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRD4N70?
El BRD4N70 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del BRD4N70?
El BRD4N70 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.000 A.